Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Courant de collecteur: 25A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD250C. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Courant de collecteur: 4A. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 36W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD435. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 130. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 7A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 36W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD437. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -4A. Boîtier: TO-126 FULLPACK. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 36W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD440. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD442. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 36W. Spec info: boîtier isolé. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. RoHS: oui. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD652. Dissipation maximale Ptot [W]: 62.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 10A, 45V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 75W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD678. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE mini: 750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD677A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 14W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 100V, 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Type de transistor: PNP. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 750

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682G. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 4A, 120V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD810G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-202. Boîtier (selon fiche technique): TO-202; SOT128B. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 75 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 8W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD829. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, 100V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: NF-L. Remarque: >750. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD901. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, 45V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): TO-220AB