Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF450. Fréquence de coupure ft [MHz]: 350 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor PNP, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor PNP, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 2W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF471. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VHF/UHF-V. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, -250V, -0.5A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.8W

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 30mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Fonction: VHF-V. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v

Transistor PNP, TO-92, TO-92. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Quantité par boîtier: 1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor PNP, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 700 MHz. Fonction: Oscillateur VHF. Gain hFE mini: 30. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DB. Fréquence de coupure ft [MHz]: 60 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier: SOT-39. Boîtier (selon fiche technique): SOT-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 900 MHz. Fonction: UHF-M/O. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 1W. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 20V, 25mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1. Fonction: UHF-V

Transistor PNP, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Courant de collecteur: 30mA. Boîtier: TO-50. Boîtier (selon fiche technique): TO-50. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 900 MHz. Fonction: UHF-M/O. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 30mA, 20V. Courant de collecteur: 30mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF-V. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BFN37. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 12V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 35mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute fréquence. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: X1p. Fréquence de coupure ft [MHz]: 5GHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Résistance BE: 150 Ohms. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 2A. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BSP50. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP62. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 50...300. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Spec info: sérigraphie/code CMS T8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor PNP. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Fonction: VHR758 EV

Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) CSD1133. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 20A. Equivalences: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: paire D44H11. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V