Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D45H11G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D45H8G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, -80V, -15A, TO–220AB. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -15A. Boîtier: TO–220AB. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 83W. Fréquence maxi: 50 MHz

Transistor PNP, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 14. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 14. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor PNP, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor numérique (résistance de polarisation intégrée). Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: 14. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 14. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistors numériques (résistances intégrées). Marquage sur le boîtier: 15. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 15. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SC-72. Boîtier (selon fiche technique): SC-72 ( D143 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 47k Ohms. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

Transistor PNP, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 190 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 480. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) FMMT619. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 720. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v

Transistor PNP, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Fonction: hFE 5000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 6. RoHS: oui. Spec info: Transistor + diode block. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 3W. Spec info: tension de saturation très faible. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: TO-92. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Spec info: boîtier NON isolé. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: hauteur 9mm. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 2pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V